Caractérisation de doubles hétérostructures laser par photoluminescence

par Christophe Starck

Thèse de doctorat en Électronique

Sous la direction de Max Brousseau.

Soutenue en 1990

à Toulouse, INSA .


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  • Résumé

    Ce memoire presente la mise au point d'une methode de caracterisation de doubles heterostructures laser gainasp/inp realisees par epl et ejm. Cette methode repose sur la determination semi-quantitative du rendement de photoluminescence de la couche active mesure dans des conditions d'injection proches du seuil laser. Nous precisons les conditions experimentales (excitation directe de la couche active, p=10#4 w/cm#2) permettant de generer une densite de porteurs voisine du seuil et montrons que la mesure du rendement dans ces conditions permet de prevoir la densite de courant de seuil des lasers. Le banc experimental permet de realiser d'une part des cartographies rapides de photoluminescence a 300 k et a forte excitation sur des substrats de diametre 50 mm ainsi que des analyses spectrales a 4,2 k. Nous precisons les limitations physiques de la methode provenant de l'echauffement a forte excitation et de phenomenes d'interferences optiques modulant le spectre emis. Nous presentons des applications de cette methode: utilisation de la cartographie pour reveler des defauts de croissance et estimation de la vitesse de recombinaison d'interface gainasp/inp. Nous avons egalement analyse la qualite des hetero-interfaces realisees par ejm en etudiant les spectres de photoluminescence a basse temperature de puits quantiques gainas/inp et gainas/gainasp

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Informations

  • Détails : 197 p

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  • Bibliothèque : Institut national des sciences appliquées. Bibliothèque centrale.
  • Disponible pour le PEB
  • Cote : 1990/123/STA
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