Influence de la technologie de fabrication sur les proprietes electriques des structures capacitives mis

par MARIE-FRANCO BLANC MIGNON

Thèse de doctorat en Sciences appliquées

Sous la direction de Bernard Balland.

Soutenue en 1990

à Lyon, INSA .

    mots clés mots clés


  • Résumé

    La diminution des circuits vlsi necessite la recherche de nouveaux materiaux de grille et de dielectriques de grille. Les metaux refractaires et leurs siliciures presentent l'avantage d'une meilleure conductivite que l'aluminium et le silicium polycristallin. La caracterisation electrique des structures mos a grille tungstene et siliciure de tungstene, a permis de mettre en evidence l'influence des parametres technologiques du depot; la pulverisation et le recuit post depot induisent une diffusion d'impuretes dans l'oxyde et a l'interface, deformant les caracteristiques electriques. La nitruration de l'oxyde produit un dielectrique mieux adapte aux exigences de la vlsi que la simple oxydation du silicium (champ de claquage augmente, diffusion d'impuretes limitee). L'analyse electrique (mesures capacitives; injection tunnel et avalanche) des structures mis a oxyde nitrure sous plasma nh3, permet de suivre l'evolution en fonction du temps de nitruration, du piegeage en volume dans l'isolant et a l'interface silicium-isolant, ainsi que des caracteristiques des pieges. La nitruration assistee par plasma nh3 permet d'ameliorer la qualite du dielectrique lorsque le temps de nitruration ne depasse pas une heure. Le piegeage en volume est reduit et la degradation de l'interface limitee

  • Titre traduit

    Processing parameter influence on the electrical characteristics of mis structures


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  • Annexes : 110 REF

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