Etude des procédés de lithographie utilisant un rayonnement U. V. Profond ou un faisceau d'électrons

par Christophe Pierrat

Thèse de doctorat en Instrumentation et mesures

Sous la direction de PIERRE GENTIL.

Soutenue en 1990

à Grenoble, INPG .

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  • Résumé

    Ce memoire traite des consequences de l'insolation en uv profond (longueur d'onde 248 nm) sur les procedes de resine photosensible utilises en lithographie lors de la fabrication de circuits integres. Une etude comparative a montre que les systemes monocouche par imagerie de surface permettaient de gagner en resolution par rapport aux procedes classiques et de s'affranchir presque totalement des effets parasites du substrat. Etant donnees les limitations de ces procedes en uv profond, un nouveau procede appele prime (positive resist image by dry etching) a ete propose. Ce procede presente d'excellentes qualites lithographiques aussi bien pour l'insolation en uv profond que pour l'insolation par faisceau d'electrons. Ses limitations principales sont la sensibilite des resines disponibles et l'absence de machines permettant de traiter la resine photosensible par un compose contenant du silicium de maniere homogene et reproductible. Afin d'y remedier nous avons propose de modifier la composition des resines photosensibles pour ameliorer leur sensibilite en uv profond. D'autre part nous avons montre que l'utilisation de reacteurs de cvd (chemical vapor deposition) permet de silyler de maniere homogene la resine photosensible. Un systeme de detection in-situ de la reaction de silylation a ete teste. Ce systeme garantit une meilleure reproductibilite et donne acces aux parametres cinetiques et thermodynamiques de la reaction de silylation

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  • Détails : 227 p

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  • Bibliothèque : Service interétablissements de Documentation (Saint-Martin d'Hères, Isère). Bibliothèque universitaire de Sciences.
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  • Bibliothèque : Service interétablissements de Documentation (Saint-Martin d'Hères, Isère). Bibliothèque universitaire de Sciences.
  • Disponible pour le PEB
  • Cote : TS 90/INPG/0088
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