Modèles de fonctionnement et méthodes spécifiques d'analyse des composants intégrés MOS de la filière silicium sur isolant (SIMOX)

par Mohamed Tarek Elewa

Thèse de doctorat en Phys. composants microelectron.

Sous la direction de Sorin Cristoloveanu.

Soutenue en 1990

à Grenoble, INPG .

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  • Résumé

    Ce memoire est consacre a l'analyse de methodes et de modeles specifiques de caracterisation des couches de silicium sur isolant (soi) et des composants integres. L'accent est mis sur la presentation de l'evolution des proprietes electriques du materiau simox au cours des dernieres annees. Le premier chapitre contient une description generale des avantages des substrats soi, des differentes techniques de synthese et de certains aspects typiques du fonctionnement des dispositifs soi. Les methodes d'analyse basees sur l'utilisation des transistors soi a enrichissement (conduction face avant et arriere, inversion volumique, pompage de charge, bruit, transconductance dynamique) sont regroupees au deuxieme chapitre. Nous montrons ensuite que le transistor soi a desertion represente un remarquable outil pour la caracterisation des interfaces et des proprietes de generation et de transport dans le film. Le quatrieme chapitre presente les modeles physiques et les proprietes de plusieurs generations de materiaux simox, relatives au fonctionnement des dispositifs en tres basses temperatures. Le dernier chapitre est consacre a l'analyse de la conduction parasitique sur les bords de l'ilot de silicium. Divers moyens d'evaluation sont utilises pour etudier la qualite et l'homogeneite des bords ainsi que le couplage entre les deux interfaces et les bords

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  • Détails : 1 vol. (148 p.)

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  • Bibliothèque : Service interétablissements de Documentation (Saint-Martin d'Hères, Isère). Bibliothèque universitaire de Sciences.
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  • Disponible pour le PEB
  • Cote : TS 90/INPG/0080
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