Influence des phénomènes de mouillage liquide-creuset sur la solidification de semiconducteurs III-V congruents par la méthode Bridgman

par Isabelle Harter

Thèse de doctorat en Sciences. Génie des matériaux

Sous la direction de N. EUSTATHOPOULOS.

Soutenue en 1990

à Grenoble, INPG .

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  • Résumé

    Un dispositif permettant de mesurer les angles de contact et les tensions superficielles de composes possedant un constituant volatil a ete mis au point. Des mesures ont ete realisees pour l'antimoniure de gallium sur des substrats en silice, saphir, carbone vitreux, nitrure de bore pyrolitique et nitrure d'aluminium pyrolitique. Elles ont permis de calculer les travaux d'adhesion des differents couples gasb/substrat. Les resultats ont ete interpretes sur la base de modeles existants. L'influence du mouillage sur les interactions semiconducteurs-creuset a ete etudiee lors de la solidification en presence (sol) et en absence (microgravite) de pesanteur. Le phenomene de demouillage a recu une interpretation theorique et a ete verifie experimentalement. La croissance de l'arseniure de gallium a une composition determinee a ete envisagee par la methode bridgman vertical suivant trois voies: l'encapsulation, la regulation en pression et le creuset ferme. Pour chacune d'entre elles, avantages et inconvenients respectifs ont ete mis en evidence

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  • Détails : 85 p

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  • Bibliothèque : Service interétablissements de Documentation (Saint-Martin d'Hères, Isère). Bibliothèque universitaire de Sciences.
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  • Bibliothèque : Service interétablissements de Documentation (Saint-Martin d'Hères, Isère). Bibliothèque universitaire de Sciences.
  • Disponible pour le PEB
  • Cote : TS 90/INPG/0039
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