Dépôt chimique en phase vapeur de siliciures pour la microélectronique

par Elisabeth Blanquet

Thèse de doctorat en Science des matériaux, métallurgie

Sous la direction de Claude Bernard.

Soutenue en 1990

à Grenoble INPG .

    mots clés mots clés


  • Résumé

    Les disiliciures de metaux refractaires sont d'excellents candidats a une utilisation comme materiaux d'interconnexions et de contact en technologie silicium a tres haut niveau d'integration. Dans le cadre des recherches de procedes pour elaborer des couches minces de ces materiaux, nous nous sommes interesses a la technique de depot chimique en phase vapeur (cvd). Cette etude a porte essentiellement sur les disiliciures de tantale, tasi#2 et de tungstene, wsi#2. Une analyse thermodynamique prealable des systemes chimiques ta-si-h-o-cl et w-si-h-o-cl- ou f a permis de determiner les valeurs des parametres experimentaux (temperature de depot, pression totale, pressions partielles initiales des gaz actifs) theoriquement favorables a la formation des disiliciures. A partir de ces resultats, un reacteur cvd, a murs froids, fonctionnant a pression atmospherique a ete concu. L'originalite de celui-ci reside dans l'elaboration et le transport du precurseur metallique (chlorure de ta et w) qui s'effectuent dans la chambre de chloruration in situ. Des depots de siliciures de tantale et de tungstene ont ete realises. La confrontation des resultats thermodynamiques et experimentaux revele un accord tres satisfaisant entre previsions et experiences

  • Titre traduit

    Chemical vapor deposition of refractory metal silicides for microelectronics


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  • Détails : 134, [27] p

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  • Bibliothèque : Service interétablissements de Documentation (Saint-Martin d'Hères, Isère). Bibliothèque universitaire Joseph-Fourier.
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  • Bibliothèque : Service interétablissements de Documentation (Saint-Martin d'Hères, Isère). Bibliothèque universitaire Joseph-Fourier.
  • Disponible pour le PEB
  • Cote : TS 90/INPG/0003
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