Le dopage du silicium en epitaxie par jet moleculaire

par Stéphane Andrieu

Thèse de doctorat en Physique

Sous la direction de Jacques Derrien.

Soutenue en 1990

à Grenoble 1 .

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  • Résumé

    Le dopage du silicium elabore par la technique ejm constitue l'un des aspects a maitriser pour la realisation de circuits. Dans un premier temps, une revue des resultats obtenus pour tous les dopants utilises en ejm si est presentee, montrant la difficulte d'obtenir de forts dopages pour les contacts notamment en type p. Grace a une cellule haute temperature, des couches dopees bore ont pu etre realisees, apportant une solution a ce probleme. Dans un second temps, la diversite des caracteristiques de dopage d'une impurete a l'autre, en si mais aussi pour d'autres materiaux (gaas, inp, znse,. . . ), est expliquee par un phenomene de segregation par saut de marche en cours de croissance. Une modelisation, incluant entre autre ce processus, est presentee et permet d'expliquer certains resultats experimentaux jusqu'alors incompris. Cette approche montre en outre l'importance des phenomenes de surface dans l'incorporation des dopants. Afin de mettre en evidence ces phenomenes, nous avons developpe une technique de mesure de recouvrement dans le domaine de la monocouche au moyen d'un ellipsometre spectroscopique in situ. Ces experiences, realisees sur les systemes ga/si et sb/si, nous ont permis d'obtenir de precieux renseignements sur l'adsorption, la desorption, et les mecanismes de dissociation de molecules ou de nucleation d'atomes a la surface du silicium, donnant ainsi des donnees directement exploitables par le modele propose


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  • Annexes : 170 REF

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