Analyse technologique et électrique des dispositifs basés sur le transistor à effet de champ à grille Schottky sur arséniure de gallium

par Nathalie Labat

Thèse de doctorat en Électronique

Sous la direction de YVES DANTO.

Soutenue en 1990

à Bordeaux 1 .

    mots clés mots clés


  • Pas de résumé disponible.


  • Pas de résumé disponible.


  • Résumé

    Cette etude propose des methodes d'investigations technologiques et electriques adaptees a l'evolution rapide de la technologie et des performances des composants sur arseniure de gallium, caracterises par des geometries submicroniques et des frequences de fonctionnement superieures au gigahertz. De nouvelles procedures d'analyse de construction sont presentees, et les possibilites de la microscopie electronique en transmission pour l'observation de motifs sont mises en evidence. Dans le domaine electrique, des methodes d'extraction des parametres representatifs de la qualite et de la fiabilite des dispositifs sont proposees, notamment par mesure du bruit de fond basses frequences

Consulter en bibliothèque

La version de soutenance existe sous forme papier

Informations

  • Détails : 306 p

Où se trouve cette thèse ?

  • Bibliothèque : Université de Bordeaux. Direction de la Documentation. Bibliothèque Sciences et Techniques.
  • Accessible pour le PEB
  • Bibliothèque : Université de Bordeaux. Direction de la Documentation. Bibliothèque Sciences et Techniques.
  • Disponible pour le PEB
  • Cote : FT 90.B-439
  • Bibliothèque : Université de Bordeaux. Direction de la Documentation. Bibliothèque Sciences et Techniques.
  • Non disponible pour le PEB
  • Cote : FTR 90.B-439
Voir dans le Sudoc, catalogue collectif des bibliothèques de l'enseignement supérieur et de la recherche.