Relaxation dans les verres isolants et semiconducteurs

par TOURIA BOUHACINA

Thèse de doctorat en Physique

Sous la direction de Jacques Pescia.

Soutenue en 1989

à Toulouse 3 .

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  • Résumé

    Malgre l'apport de nombreuses techniques a la connaissance de l'etat vitreux, il reste encore beaucoup a faire pour expliquer certaines proprietes des verres; les phenomenes de relaxation sont un exemple de celles-ci et le travail presente dans cette these, qui porte essentiellement sur la comprehension des variations thermiques des temps de relaxation spin-reseau a l'aide des theories les plus recentes, s'inscrit dans ce contexte. Les echantillons etudies sont des verres isolants silicates dopes avec l'oxyde de fer et des verres semiconducteurs vanadate de baryum dopes avec l'oxyde de fer. Dans la premiere partie l'auteur a determine la concentration des ions ferriques sur les sites tetraedriques et octaedriques et etudie l'evolution du rapport de leur concentration en fonction de la temperature et de la concentration en fer totale. Dans la deuxieme partie l'auteur a etudie les mecanismes de relaxation dans des verres isolants et semiconducteurs par une methode originale dite methode de modulation, bien adaptee aux valeurs courtes du temps de relaxation spin reseau et qui consiste a detecter la derivee de la composante longitudinale de l'aimantation. L'auteur a pu mettre en evidence pour la premiere fois un mecanisme spin-fracton dans des verres semiconducteurs fortement dopes en oxyde de fer. Dans les echantillons plus conducteurs, la conduction electrique plus intense, oculte completement la relaxation spin-fracton et laisse apparaitre de l'echange


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Informations

  • Annexes : 61 REF

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  • Bibliothèque : Université Paul Sabatier. Bibliothèque universitaire de sciences.
  • Disponible pour le PEB
  • Cote : 1989TOU30150
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