Modelisation et simulation de l'interdiffusion de gallium dans la croissance heteroepitaxiee de cdte sur gaas

par AMAL BENNIS

Thèse de doctorat en Physique

Sous la direction de Daniel Estève.

Soutenue en 1989

à Toulouse 3 .

    mots clés mots clés


  • Résumé

    Etude des diffusions anormales d'impuretes observees aux interfaces dans une heteroepitaxie et plus particulierement de la diffusion de ga dans une couche cdte epitaxique sur un support gaas. Presentation de deux modeles analytiques de diffusion d'impuretes dans une couche epitaxiee en cours de croissance. Les resultats suggerent que la segregation en surface et que les contraintes sont a l'origine de l'exces de ga sur la surface exterieure de cdte


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  • Annexes : 103 REF

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  • Bibliothèque : Moyens Informatiques et Multimédia. Information.
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  • Cote : B-BEN
  • Bibliothèque : Université Paul Sabatier. Bibliothèque universitaire de sciences.
  • Disponible pour le PEB
  • Cote : 1989TOU0112
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