Etude physique et simulation du comportement a l'ouverture des transistors bipolaires de puissance

par Mohamed Ramdani

Thèse de doctorat en Sciences appliquées

Sous la direction de Jean-Marie Dorkel.

Soutenue en 1989

à Toulouse 3 .

    mots clés mots clés


  • Résumé

    On etudie l'ouverture des transistors bipolaires a l'aide d'un modele unidimensionnel privilegiant l'etude de la dynamique des charges dans le collecteur faiblement dope. Analyse de l'influence des principaux parametres de structure ainsi que celle de certains composants exterieurs sur les temps de commutation. Application aux bras d'un ondulateur


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  • Annexes : 49 REF

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  • Bibliothèque : Moyens Informatiques et Multimédia. Information.
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  • Cote : B-RAM
  • Bibliothèque : Université Paul Sabatier. Bibliothèque universitaire de sciences.
  • Disponible pour le PEB
  • Cote : 1989TOU30102
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