Analyse du bruit des transistors a effet de champ en technologie complementaire mos et application a la realisation d'un amplificateur integre sensible au courant

Noise analysis of field effect transistors in cmos technology and design of integrated current amplifier

• Auteur / Autrice : ERIC BEUVILLE
• Direction : Paul Siffert
• Type : Thèse de doctorat
• Discipline(s) : Sciences appliquées
• Date : Soutenance en 1989
• Etablissement(s) : Université Louis Pasteur (Strasbourg) (1971-2008)

Résumé

Le premier chapitre est consacre a l'etude en frequence des differentes sources de bruit des transistors a effet de champ en technologie complementaire mos, son mecanisme et ses origines afin de pouvoir definir des regles permettant de minimiser ses effets dans les systemes amplificateurs. La deuxieme partie est la mise en application de l'etude du bruit pour la realisation d'un amplificateur de courant, monolithique, bas bruit, avec une mise en forme rapide pour des capacites de detecteurs de quelques picofarads a quelques 100 pf