Mesure de la longueur de diffusion des trous dans le silicium amorphe hydrogene a partir de la photoreponse spectrale de diodes schottky

par MOHAMED HADRAMI

Thèse de doctorat en Physique

Sous la direction de Joseph Baixeras.

Soutenue en 1989

à Paris 7 .

    mots clés mots clés


  • Résumé

    La longueur de diffusion des porteurs minoritaires (ici les trous), lp, est un parametre essentiel des photopiles. L'experience spv (surface photovoltage) derivee de la photoreponse spectrale, est une technique permettant de determiner directement ce parametre. Cette technique a ete largement utilisee dans le cas des siliciums cristallins. Notre travail a consiste a etudier l'adaptation de cette technique au cas des semiconducteurs a base de silicium amorphe hydrogene, nos mesures ayant ete effectuees sur des diodes schottky. Pour de tels materiaux, il est necessaire de reduire la zone de charge d'espace et, pour ce faire, on eclaire la diode par un flux continu de forte intensite, superpose a un faisceau de test monochromatique de faible intensite. Pour distinguer les deux faisceaux, on doit donc utiliser une technique de modulation et de demodulation synchrone. Nous avons completement automatise cette experience. Ceci nous a permis d'etudier en detail l'influence des parametres de mesure tels que l'intensite du flux continu et la frequence de modulation du faisceau de test. En etudiant l'influence de l'intensite du flux continu, nous avons montre que la mesure obtenue est une valeur apparente de lp, diminuant lorsque l'intensite augmente et devenant independante de celle-ci a partir d'une certaine intensite (de l'ordre de 1 soleil, soit 100 mw?cm##2 environ). Par ailleurs, nos resultats experimentaux nous ont amenes a prendre en compte l'influence du contact arriere de la diode qui peut apporter une contribution perturbant la mesure. Ceci nous a conduit a appliquer une methode de mesure differentielle, avec la presence d'un troisieme flux continu, afin de s'affranchir de l'influence du contact arriere. Enfin nous avons utilise cette technique pour etudier l'influence de l'incorporation de germanium dans des alliages silicium-germanium amorphes. Les resultats obtenus montrent que la longueur de diffu


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  • Annexes : 21 REF

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  • Bibliothèque : Université Paris Diderot - Paris 7. Service commun de la documentation. Bibliothèque Universitaire des Grands Moulins.
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  • Cote : TS1989
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