Nettoyage de surface et depot de silicium en plasma multipolaire micro-onde : application a l'epitaxie a basse temperature

Surface cleaning and deposition of silicon by multipolar microwave plasma. The application of these techniques to low temperature epitaxy

• Auteur / Autrice : MARC GUILLERMET
• Direction : RUDOLF BURKE
• Type : Thèse de doctorat
• Discipline(s) : Physique
• Date : Soutenance en 1989
• Etablissement(s) : Paris 7

Résumé

Developpement d'un plasma multipolaire micro-onde excite par resonance cyclotronique electronique; production a basse pression (0,1 pa), d'un plasma homogene de densite elevee avec des ions d'energie controlable de 1 a 100 ev. Caracterisation chimique (spectrometrie des electrons auger) et cristallographique (diffraction d'electrons lents) de la surface des substrats de silicium; etude de l'etat de surface apres interaction avec le plasma. Caracteristiques physico-chimiques et electriques des couches epitaxiques