Epitaxie en phase vapeur par la methode aux organometalliques et caracterisation d'heterostructures dans le systeme gainasp : applications en opto-electronique

par Philippe Gentric

Thèse de doctorat en Sciences appliquées

Sous la direction de ROBERT CADORET.

Soutenue en 1989

à Paris 7 .


  • Résumé

    Nous presentons l'epitaxie de materiaux gainasp en accord de maille sur inp par la methode en phase vapeur aux organometalliques (epvom) a pression atmospherique. L'optimisation des conditions de croissance a permis d'obtenir des materiaux tres purs et des heterostructures abruptes. Ces performances ont ete obtenues sur des substrats de diametre 2 pouces. L'homogeneite de la croissance en epaisseur et en composition sur ces grandes surfaces a ete etudiee en detail et optimisee. Des structures de tous types ont ete realisees; leur caracterisation pr effet hall, effet shubnikov-de haas, photoluminescence et double diffraction x est presentee. Enfin, des photodiodes pin et avalanche pour les communications par fibres optiques ainsi que des jfet hyperfrequence ont ete realises


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Informations

  • Détails : 1 vol. (170p.)
  • Annexes : 179 REF

Où se trouve cette thèse ?

  • Bibliothèque : Université Paris Diderot - Paris 7. Service commun de la documentation. Bibliothèque Universitaire des Grands Moulins.
  • Accessible pour le PEB
  • Cote : TS1989
  • Bibliothèque : Université de technologie de Belfort-Montbéliard. Bibliothèque.
  • Disponible pour le PEB
  • Cote : THESE 89 GEN
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