Dopage photoassiste par laser excimere du silicium place sous atmosphere de gaz dopant

par FRANCOIS FOULON

Thèse de doctorat en Sciences appliquées

Sous la direction de Eric Fogarassy.

Soutenue en 1989

à Paris 7 .

    mots clés mots clés


  • Résumé

    Ce memoire concerne l'etude d'une technique de dopage photoassiste par laser du silicium. Dans ce procede, l'echantillon place sous atmosphere de gaz dopant (bcl#3, bf#3, pf#5) est irradie au moyen d'un laser uv pulse excimere (arf, krf, xecl) qui provoque a la fois la fusion superficielle de l'echantillon et la decomposition des molecules du gaz qui constitue la source d'atomes dopants. La diffusion en phase liquide dans le silicium fondu de ces atomes permet de former des jonctions minces a profil rectangulaire en technologie vlsi et pour la fabrication de cellules photovoltaiques. Nous avons etudie l'influence des parametres du dopage laser sur les resistances carrees de surface et sur les profils de concentration en impuretes des jonctions ainsi formees. Les caracteristiques electriques des jonctions n#+p et p#+n formees par cette technique ont egalement ete etudiees et les limitations de leurs performances ont ete discutees


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Informations

  • Annexes : 341 REF

Où se trouve cette thèse ?

  • Bibliothèque : Université de Nantes. Service commun de la documentation. Section Sciences.
  • Disponible pour le PEB
  • Cote : 89 PA07 Foulon
  • Bibliothèque : Université Paris Diderot - Paris 7. Service commun de la documentation. Bibliothèque Universitaire des Grands Moulins.
  • Accessible pour le PEB
  • Cote : TS1989
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