Gravure ionique reactive des semiconducteurs iii-v avec controle in situ par interferometrie laser : applications a l'optique integree

par PHILIPPE AUTIER

Thèse de doctorat en Sciences appliquées

Sous la direction de F. ABELES.

Soutenue en 1989

à Paris 6 .

    mots clés mots clés


  • Résumé

    Cette these est une contribution a l'etude de la gravure ionique reactive (rie) des semiconducteurs iii-v en plasmas chlores cl#2/ch#4/h#2/ar. Une analyse in situ de la surface gravee a ete mise en uvre par une methode d'interferometrie laser sur des motifs de test constitues de reseaux. Les parametres caracteristiques de la surface gravee sont alors accessibles en temps reel. La rie offre un outil pour les applications a l'optique integree: realisation de dispositifs passifs (guides a faibles pertes, miroirs ou virages) et de dispositifs actifs (commutateurs, modulateurs, detecteurs, etc. ). La precision apportee par le systeme d'interferometrie laser donne un meilleur controle du confinement lateral: c'est un avantage pour realiser des structures qui font intervenir des phenomenes de conversion de modes ou de couplage par ondes evanescentes


  • Pas de résumé disponible.

Consulter en bibliothèque

La version de soutenance existe sous forme papier

Informations

  • Annexes : 107 REF

Où se trouve cette thèse ?

  • Bibliothèque : Université Pierre et Marie Curie. Bibliothèque Universitaire Pierre et Marie Curie. Section Biologie-Chimie-Physique Recherche.
  • Accessible pour le PEB
  • Bibliothèque : Centre Technique du Livre de l'Enseignement supérieur (Marne-la-Vallée, Seine-et-Marne).
  • Disponible pour le PEB
  • Cote : PMC RT P6 1989
Voir dans le Sudoc, catalogue collectif des bibliothèques de l'enseignement supérieur et de la recherche.