Hétéroépitaxie de l'arséniure de gallium sur silicium : croissance, propriétés structurales et électroniques

par Alexandre Freundlich

Thèse de doctorat en Physique

Sous la direction de Christian Verié.

Soutenue en 1989

à Nice .


  • Résumé

    Nous étudions les propriétés structurales et électroniques des couches héteroépitaxiées de GaAs sur substrats de Si(100), élaborées par épitaxie en phase vapeur par pyrolyse d'organométalliques. Après une étude des stades précurseurs de l'épitaxie par des techniques d'analyse de surface (diffraction électronique et spectroscopie des photoélectrons) nous étudions, par la diffraction des rayons X et la spectrométrie de masse des ions secondaires, l'évolution des défauts étendus (dislocations, fissures) et ponctuels (impuretés) en fonction des conditions d'élaboration et les mécanismes d'interdiffusion. Les transitions électroniques et vibroniques des hétérostructures GaAs/Si sont analysées par des techniques de spectroscopie optique (photoluminescence, excitation de photoluminescence, réflectivité, Raman. . . ) et permettent une évaluation précise des contraintes et de l'activité électronique des impuretés résiduelles. Toutes ces analyses sont corrélées avec les conditions d'élaboration et conduisent à l'obtention et la qualification d'un matériau compatible avec les exigences d'un dispositif à porteurs minoritaires tels que la cellule photovoltaïque solaire

  • Titre traduit

    Heteroepitaxy of gallium arsenide on silicon : growth, structural and electronic properties


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Informations

  • Détails : 1 vol. (178 p.)
  • Notes : Publication autorisée par le jury
  • Annexes : Bibliogr. en fin de chapitres. Résumés en français et en anglais

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  • Bibliothèque : Université Nice Sophia Antipolis. Service commun de la documentation. Section Sciences.
  • Non disponible pour le PEB
  • Cote : 89NICE4314
  • Bibliothèque : Université Nice Sophia Antipolis. Service commun de la documentation. Section Sciences.
  • Disponible pour le PEB
  • Cote : 89NICE4314BIS
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