Croissance par EPVOM [Épitaxie en Phase Vapeur aux OrganoMétalliques] et caractérisation de couches de Ga1-xInxSb pour la photodétection aux longueurs d'onde supérieures à 2 micromètres

par Fabien Pascal

Thèse de doctorat en Composants, signaux et systèmes. Composants électroniques et optiques

Sous la direction de Georges Bougnot.

Soutenue en 1989

à Montpellier 2 .


  • Résumé

    Ce memoire a pour but l'etude de la photodiode sam-apd a base de gainassb/gasb repondant aux longueurs d'onde superieures a 2 microns. Apres l'etude theorique de cette structure, nous presentons la croissance de couches de gasb type p naturel, gasb n dope te, et ga#1##xin#xsb p naturel. Ainsi nous avons pu degager les conditions optimales de fabrication en fonction de la temperature d'epitaxie et du rapport v/iii. Les caracterisations electriques et optiques de ces depots ainsi que la realisation de photodiodes mesa (homojonctions a base de gasb et heterojonctions gainsb/gasb sont presentees. Des reponses ont ete obtenues au-dela de 2 microns par: photoconductivite, jusqu'a 2,6 microns (gainsb/gaas); reponse spectrale, seuil de detection a 2,4 microns dans une photodiode gainsb/gasb. D'autre part nous avons aborde la realisation de couches d'adaptation avec des couches a gap variable et des superreseaux contraints gainsb/gasb. Les premieres mesures d'effet hall sur substrat de gasb conducteur sont egalement presentees

  • Titre traduit

    Movpe growth and characterizations of ga#1##xin#xsb layers in photodetection for the wavelengths superior of two microns


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Informations

  • Détails : [8], 139 f., [10] f. de pl. photogr
  • Annexes : Notes bibliogr. regroupées f. 132-139

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