Contribution à l'étude des contacts ohmiques sur GaSb de type n et InAs de type p

par Hassan Khald

Thèse de doctorat en Milieux denses et matériaux

Sous la direction de A. JOULLIE.

Soutenue en 1989

à Montpellier 2 .


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  • Résumé

    Apres un rappel des theories qui permettent d'evaluer les caracteristiques courant-tension (i-v) d'un contact metal-semiconducteur, les principes de formation d'un contact ohmique sont etablis. L'etude experimentale a porte sur les contacts augeni/gasb de type n et auzn/inas de type p. La caracterisation de ces contacts a ete effectuee en mesurant la resistance specifique du contact p#c par la methode de schockley. Le role essentiel du recuit (temperature, duree) a ete mis en lumiere. Les conditions d'obtention de contacts avec des resistivites inferieures a 10##6 cm#2 sont definies

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  • Détails : [8] f., 129 p
  • Annexes : Notes bibliogr

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  • Cote : TS 89.MON-140
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