Etude de l'injection des porteurs "chauds" dans l'isolant des structures Mis

par Yves Hellouin

Thèse de doctorat en Composants électroniques

Sous la direction de Pierre Viktorovitch.

Soutenue en 1989

à Lyon 1 .


  • Résumé

    Apres quelques rappels sur les structures mos et la vlsi, l'auteur decrit la structure de bandes d'energie a l'interface si-sio#2 en presence d'un champ electrique et indique les conditions que doivent remplir les porteurs pour franchir cette interface puis il rappelle les phenomenes de piegeage de ces porteurs dans un isolant. La deuxieme partie traite de l'injection des electrons d'abord dans les mos/sos, puis dans les mos sur silicium massif. On decrit un modele qui tient compte de l'injection des electrons d'energie inferieure a la barriere d'interface par effet fowler-nordheim et qui permet le calcul du libre parcours moyen des electrons chauds dans le silicium. L'injection des trous est etudiee dans la troisieme partie a la fois dans les structures mnos et dans les structures mos. La comparaison des resultats experimentaux et theoriques fournit la valeur du libre parcours moyen des trous chauds dans le silicium. La quatrieme partie est consacree a l'etude des mecanismes de generation des porteurs chauds dans les transistors mos en fonctionnement normal et de leurs consequences sur les parametres des dispositifs. L'auteur decrit ensuite quelques-unes des methodes, tant structurelles que technologiques, imaginees pour diminuer l'injection des porteurs chauds dans les dispositifs. L'application de l'injection des porteurs chauds a l'ecriture et a l'effacement des memoires eeprom fait l'objet du dernier paragraphe

  • Titre traduit

    Hot carrier injection into mis insulator


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  • Détails : 1 vol. (129 p.)
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