Réalisation de transistors à effet de champ en AsGa par la neutralisation des donneurs légers par hydrogène atomique

par Nathalie Caglio

Thèse de doctorat en Électronique

Sous la direction de Eugène Constant.

Soutenue en 1989

à Lille 1 .

  • Titre traduit

    ˜a œNew process for the fabrication of field effect transistors using the neutralization of shallow donors by atomic hydrogen


  • Pas de résumé disponible.


  • Résumé

    L'exposition d'AsGa dopé Si de type n a un plasma RF d'hydrogène, provoque une forte diminution de concentration en électron libre. Cet effet qui s'accompagne d'une augmentation de la mobilité électronique s'explique par la neutralisation des donneurs actifs. Ce phénomène, utilisé de façon très localisé dans une epitaxie fortement dopée, permet de réaliser des transistors a effets de champ (HTEC) de résistances d'accès faibles, caractérisés par une concentration en impureté peu élevée au voisinage imme��diat de la grille. Nous présentons ici la mise au point de ce nouveau procédé de fabrication de transistors ainsi que leurs performances. Dans le but d'optimiser ceux-ci nous avons conçu un modèle de type Monte Carlo de la diffusion et de la complexation de l'hydrogène dans l'AsGa, qui couplé à un second logiciel permet de prédéterminer les caractéristiques électriques du HTEC. Suite à la caractérisation des épitaxies hydrogénées, nous avons réalisé un premier transistor qui avec une grille d'une longueur de 1,2 micron présente une transconductance de 300 ms/mm et une fréquence de coupure de 15 GHz. Puis en optimisant la technologie, conditions de plasma, masquage électronique, utilisation d'une grille en T, nous avons obtenu un transistor qui avec une longueur de grille de 0,7 micron, offre une transconductance de 420 ms/mm et une fréquence de coupure de 30 GHz. Parallèlement à ces études nous avons étendu l'utilisation de ce procédé aux transistors à hétérostructure, en réalisant un H-MISFET, qui a démontré la faisabilité de ce type de composant. Une autre voie a été étudiée qui utilise la propriété de réactivation thermique des complexes neutres : le changement possible, après technologie, des performances électriques de composants actifs ou passifs réalisés sur epitaxie hydrogénée

Consulter en bibliothèque

La version de soutenance existe sous forme papier

Informations

  • Détails : 1 vol. (pagination multiple)
  • Notes : Publication autorisée par le jury
  • Annexes : Bibliogr. 7 p.

Où se trouve cette thèse ?

  • Bibliothèque : Université des sciences et technologies de Lille (Villeneuve d'Ascq, Nord). Service commun de la documentation.
  • Disponible pour le PEB
  • Cote : 50376-1989-253
  • Bibliothèque : Université des sciences et technologies de Lille (Villeneuve d'Ascq, Nord). Service commun de la documentation.
  • Disponible pour le PEB
  • Cote : 50376-1989-254
Voir dans le Sudoc, catalogue collectif des bibliothèques de l'enseignement supérieur et de la recherche.