Modélisation des dispositifs à jonction P-N : Application aux oscillateurs A.T.T. de forte puissance en bande Ku et à l'étude des régimes transitoires des limiteures à diode PIN

par Marion Berbineau

Thèse de doctorat en Électronique

Sous la direction de Paul-Alain Rolland.

Soutenue en 1989

à Lille 1 .


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  • Titre traduit

    Modelling of PN junction devices: application to Ku band high power oscillators and to the study of PIN diode limiters transient responses


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  • Résumé

    Nous avons développé deux modèles complémentaires. Le premier permet de simuler le fonctionnement de structures semiconductrices à jonction PN ne faisant pas intervenir d'effet quantique. Dans le deuxième modèle, le composant semiconducteur est associé à son circuit de charge défini simplement sous forme d'éléments localisés. Grâce au premier type de modèle, nous étudions les diodes à avalanche et temps de transit a l'arséniure en bande Ku. Nous mettons en évidence le fonctionnement multifréquence, la collection prématurée des porteurs. Cette première étude montre que la structure à zone de dérive unique de type Read est particulièrement bien adaptée pour un fonctionnement en régime d'oscillations continues. Le deuxième type de modèle est utilisé pour l'analyse des différents régimes transitoires auxquels est soumis un limiteur passif à diode PIN au silicium pendant son fonctionnement complexe. Nous considérons en particulier l'influence de la phase à l'origine et de l'enveloppe du signal d'entrée appliqué.

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Informations

  • Détails : 1 vol. (75 f.-[12] f. de pl.)
  • Notes : Publication autorisée par le jury
  • Annexes : Bibliogr. 6 p.

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  • Bibliothèque : Université des sciences et technologies de Lille (Villeneuve d'Ascq, Nord). Service commun de la documentation.
  • Disponible pour le PEB
  • Cote : 50376-1989-143
  • Bibliothèque : Université des sciences et technologies de Lille (Villeneuve d'Ascq, Nord). Service commun de la documentation.
  • Disponible pour le PEB
  • Cote : 50376-1989-144
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