Etude des propriétés physiques et performances potentielles en basses températures du transistor à effet de champ à haute mobilité électronique AlGaAs/GaAs

par Areski Belache

Thèse de doctorat en Électronique

Sous la direction de André Vanoverschelde.

Soutenue en 1989

à Lille 1 .


  • Résumé

    Mise en œuvre d'un modèle de simulation pseudo-bidimensionnelle au transistor a mobilité électronique élevée (HEMT) à grille submicronique permettant de prévoir ses performances potentielles à la température de l'azote liquide.

  • Titre traduit

    Study of physical proprieties and potential performance of high electron mobility: algaas/gaas field effect transistors


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Informations

  • Détails : 1 vol. (232 p.-[146] p. de pl.)
  • Notes : Publication autorisée par le jury
  • Annexes : Bibliogr. p. 44-47, 100-105, 198-203, 228-231

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  • Bibliothèque :
  • Disponible pour le PEB
  • Cote : 50376-1989-103
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  • Disponible pour le PEB
  • Cote : 50376-1989-104
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