Contribution à l'étude des dislocations dans InP dopé et non dopé

par Michael Zafrany

Thèse de doctorat en Électronique

Sous la direction de Jean-Pierre Peyrade.

Soutenue en 1989

à Toulouse, INSA .


  • Résumé

    La plasticite d'inp non dope, dope soufre et arsenic est etudiee par une nouvelle technique de fluage, le fluage elementaire, dans un domaine de temperature 423-1023 k. La deformation d'inp et inp:s est observee en microscopie electronique in situ; le fonctionnement des sources de dislocations est examine. L'ensemble des resultats est exploite a l'aide des divers modeles de plasticite. La perturbation des proprietes electroniques par les dislocations est mise en evidence par photoluminescence locale

  • Titre traduit

    Contribution to the study of dislocations of doped and undoped indium phosphide


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Informations

  • Détails : 214, 25 p
  • Annexes : 102 REF

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  • Bibliothèque : Institut national des sciences appliquées. Bibliothèque centrale.
  • Disponible pour le PEB
  • Cote : 1989/102/ZAF
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