Influence des niveaux profonds et des phenomenes de surface sur les caracteristiques electriques de photodiodes gainas

par Frédérique Ducroquet

Thèse de doctorat en Sciences appliquées

Sous la direction de ALAIN NOUAILHAT.

Soutenue en 1989

à Villeurbanne, INSA .

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Résumé

L'analyse du courant d'obscurite de photodiodes gainas de type pin pour telecommunications optiques montre qu'il est souvent domine par un courant de surface, generateur de bruit et cause d'instabilites temporelles, qu'il convient de reduire. Parvenir a une passivation efficace de la surface n'entrainant pas de degradation notable des proprietes de la surface constitue donc l'un des aspects technologiques determinants pour l'obtention de dispositifs performants. L'objectif de ce travail est d'etudier l'influence des defauts de volume et ceux lies a la passivation sur les performances electriques de photodiodes planar passivees par nitrure de silicium depose suivant plusieurs techniques (cvd, pecvd, uvcvd). Les methodes experimentales utilisees sont essentiellement des mesures de courant qui ont revele la presence de phenomenes de derive sous polarisation; les mecanismes physiques a l'origine du courant de surface sont analyses a partir des caracteristiques courant-tension en fonction de la temperature. Les defauts induits par le processus de passivation sont caracterises par des mesures de spectroscopie de capacite et d'admittance. Une modelisation de la peripherie de la jonction permettant de rendre compte de l'ensemble des phenomenes observes est alors developpee et confrontee au caractere specifique de chaque technique de passivation

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