Diffusion et gettering du chrome dans le silicium dope au bore

par JIN ZHU

Thèse de doctorat en Physique

Sous la direction de Daniel Barbier.

Soutenue en 1989

à Villeurbanne, INSA .

    mots clés mots clés


  • Résumé

    Le travail presente dans ce memoire concerne la diffusion et le gettering du chrome dans le silicium, suite a des traitements thermiques a hautes et a basses temperatures. Les methodes de caracterisation utilisees sont la dlts et la microscopie electronique a haute resolution. Nous avons etabli une nouvelle loi de diffusion de cr, valable dans un large domaine de temperature (20-1050#oc) avec une valeur de l'enthalpie de migration de 0,81 ev. Pour la premiere fois, les coefficients de diffusion pour des temperatures comprises entre 20 et 100#oc ont ete mesures, par suivi de la cinetique de couplage entre le chrome et le bore. Nous avons mis a profit la contribution plus importante des mesures a basse temperature pour augmenter la precision de determination de l'enthalpie de migration. L'effet de gettering de cr a ete etudie en fonction de la temperature et de l'atmosphere gazeuse des traitements. Le recuit rapide a ete utilise comme technique de reactivation des precipites de cr. L'effet de drainage de cr hors de la zone superficielle a ete mis en evidence dans certaines conditions de traitements de gettering. Ce resultat est en bon accord avec l'analyse par microscopie electronique en transmission sur la distribution en profondeur des precipites. Par ailleurs, le gettering de cr s'est revele totalement inefficace dans si de type fz


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  • Annexes : 73 REF

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