Etude de la migration ionique dans les structures métal-isolant-silicium

par Christophe Choquet

Thèse de doctorat en Dispositifs de l’électronique intégrée

Sous la direction de Bernard Balland.

Soutenue en 1989

à Lyon, INSA , en partenariat avec LPM - Laboratoire de Physique de la Matière (laboratoire) .


  • Résumé

    L'évolution de la microélectronique silicium vers le sub-micronique nécessite une qualité d'isolant de grille parfaite. En particulier, il convient d'éviter toute contamination. Après une étude bibliographique critique concernant le problème de la contamination ionique de l'oxyde par diverses impuretés ioniques ( H, Na, K ), nous présentons deux modèles que nous avons développés permettant de connaître la localisation spatiale et énergétique des ions dans les couches isolantes. Pour répondre aux exigences de sensibilité requises par la microélectronique nous avons développé un banc de mesure de la contamination ionique informatisé lequel comporte diverses composantes originales. Nous avons. étudié le comportement du sodium et du potassium dans la silice thermique et avons montré qu'il existe des pièges ioniques communs à ces deux espèces. Nous avons également comparé l'influence de l'iode et du chlore sur le processus de neutralisation de ces ions. Alcalins. La migration ionique du calcium dans les structures MOS a été mise en évidence pour la première fois et les divers niveaux pièges ont été déterminés. Nous avons observé la migration ionique du potassium dans les couches de nitrure de silicium déposé CVD et avons caractérisé les niveaux-pièges relatifs à cette espèce, ainsi que sa mobilité. Les résultats obtenus ont été comparés à SiO2

  • Titre traduit

    = Study of ionic migration in metal-insulator-semiconductor structures


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Informations

  • Détails : 1 vol. (196 p.)
  • Notes : Publication autorisée par le jury
  • Annexes : Bibliogr. p. 187-196

Où se trouve cette thèse ?

  • Bibliothèque : Institut national des sciences appliquées (Villeurbanne, Rhône). Service Commun de la Documentation Doc'INSA.
  • Disponible pour le PEB
  • Cote : C.83(1144)
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