Etude des proprietes electro-optiques des impuretes vanadium et nickel dans gaas

par NEILA HIZEM

Thèse de doctorat en Physique

Sous la direction de Guillot.

Soutenue en 1989

à Lyon, INSA .

    mots clés mots clés


  • Résumé

    Au cours de ce travail nous avons etudie l'effet de l'introduction du vanadium et du nickel sur les proprietes electriques et optiques de materiaux gaas. Un ensemble de caracterisations electro-optiques base essentiellement sur les techniques capacitives (dlts, dlos) et optiques (ao, pl), a ete utilise pour realiser cette etude. (1) nous avons tente de realiser des dispositifs electroluminescents a base de gaas: v elabore par epitaxie en phase liquide (lpe). Sur les couches realisees les mesures de photoluminescence et de sims ont revele une faible incorporation du v dans les conditions de la lpe: le coefficient de distribution du v est trouve de 10##6. Ce resultat explique la difficulte de detecter la transition interne du vanadium par electroluminescence. (2) des mesures dlts, dlos et ao realisees sur divers materiaux gaas dopes v, de type differents montrent de facon certaine que le seul niveau associe au v est le niveau accepteur v#2#+/v#3#+ situe a e#c-0,15 ev. Ce niveau ne peut en aucun cas etre responsable d'un caractere semi isolant. Enfin nous avons mis en evidence sur ce niveau un effet de champ electrique et nous l'avons interprete en terme d'emission tunnel assiste par phonons. (3) dans le cas du nickel dans gaas, nous avons montre pour la premiere fois que le ni n'introduit qu'un seul centre double accepteur ni#+/ni#2#+ situe a e#c-0,4 ev. Ce centre profond est responsable de l'apparition d'une zone de haute resistivite situe sous le contact au-ge-ni. (4) enfin, nous avons mis au point une procedure technologique pour la realisation de diodes schottky de bonne qualite sur gasb de type n

  • Titre traduit

    Study of the electrooptical properties of vanadium and nickel impurities in gaas


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