Réalisation et étude de fines couches d'isolant pour la VLSI : caractérisation électrique et optique des interfaces SiO2/Si(P) et Si3N4/Si(N)

par Panagiota Morfouli

Thèse de doctorat en Physique composants semiconducteurs

Sous la direction de Georges Pananakakis.

Soutenue en 1989

à Grenoble I.N.P.G. .

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  • Résumé

    L'evolution des technologies de fabrication de circuits integres (vlsi ou ulsi) consiste a diminuer de plus en plus les dimensions des dispositifs elementaires. Cette miniaturisation entrainant une diminution de la fiabilite des dispositifs, il est necessaire de bien connaitre leurs parametres electriques. L'objectif de ce travail est la caracterisation de couches fines de silice obtenues par deux types differents d'oxydation (anodique ou thermique) a l'aide de mesures electriques en obscurite ou sous illumination (courant-tension, capacite-tension et conductance-tension), ou optiques (photoemission interne). Il a ete entrepris par ailleurs la caracterisation d'un autre type d'isolant, le nitrure, fabrique dans un reacteur industriel et par la technique pecvd (plasma enhanced chemical vapor deposition). Une etude electrique et stchiometrique prelimaire de ces couches est egalement presentee

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  • Bibliothèque : Service interétablissements de Documentation (Saint-Martin d'Hères, Isère). Bibliothèque universitaire de Sciences.
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  • Bibliothèque : Service interétablissements de Documentation (Saint-Martin d'Hères, Isère). Bibliothèque universitaire de Sciences.
  • Disponible pour le PEB
  • Cote : TS 89/INPG/0119
  • Bibliothèque : Phelma. Bibliothèque.
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