Simulation numérique et modélisation des transistors MOS sur silicium sur isolant à inversion volumique

par Mohcine Benachir

Thèse de doctorat en Physique. composants électroniques

Sous la direction de J. BRINI.

Soutenue en 1989

à Grenoble I.N.P.G. .

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  • Résumé

    Dans la premiere partie de la these, nous presentons un nouveau mode de fonctionnement des transistors mos sur silicium sur isolant, qui consiste dans l'inversion forte et totale du film de silicium. Nous presentons ensuite les avantages induits par ce nouveau mode de fonctionnement. Nous montrons aussi qu'il est possible d'etablir, dans les deux cas extremes de transistors a film de silicium respectivement tres mince et tres epais, des modeles analytiques simples qui decrivent adequatement le fonctionnement electrique des tmos a volume inverse (tmos-vi) en regime ohmique. La deuxieme partie est consacree a la presentation des diverses techniques numeriques et equations physiques que nous avons retenues pour la realisation du simulateur electrique bidimensionnel des structures tmos-ssi: isis ii. L'objet de la troisieme partie est d'illustrer les possibilites d'etudes par la simulation electrique des dispositifs ssi, offertes par isis ii

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  • Détails : 1 vol. (179 p.)

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  • Bibliothèque : Service interétablissements de Documentation (Saint-Martin d'Hères, Isère). Bibliothèque universitaire de Sciences.
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  • Bibliothèque : Service interétablissements de Documentation (Saint-Martin d'Hères, Isère). Bibliothèque universitaire de Sciences.
  • Disponible pour le PEB
  • Cote : TS 89/INPG/0090
  • Bibliothèque : Phelma. Bibliothèque.
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