Etude structurale et microscopique du système Y/Si

par Anne Pellissier

Thèse de doctorat en Micro-électronique

Sous la direction de Jean-Charles Joud.

Soutenue en 1989

à Grenoble INPG .

    mots clés mots clés


  • Résumé

    Le siliciure ysi 1,7 en phase hexagonale s'epitaxie sur un support si(iii) avec un accord de maille quasi parfait. La couche resultante (100-200 a) contient des grains de 50 a 100 a. Une forte anisotropie de structure de bandes est revelee par photoemission. Les lacunes si s'ordonnent en trois dimensions. Mesures electriques: comportement de type semi-metallique et faible hauteur de barriere de schottky pour le contact ysi 1,7/si dope n. Si peut se reepitaxier sur une couche de siliciure d'y elle-meme epitaxiee sur un support si(iii). Un echantillon est obtenu, avec toutefois des defauts d'empilement dans la couche si. La fabrication de couches multiples de cette nature est envisageable

  • Titre traduit

    Structural and microscopic study of y/si system


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Informations

  • Détails : 1 vol. (264 p.)
  • Annexes : Bibliogr. 162 ref

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  • Bibliothèque : Service interétablissements de Documentation (Saint-Martin d'Hères, Isère). Bibliothèque universitaire de Sciences.
  • Disponible pour le PEB
  • Cote : TS 89/INPG/0031
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