Comportement du titane dans le silicium : diffusion et niveaux profonds

par Seloua Hocine

Thèse de doctorat en Micro-électronique

Sous la direction de J. F. PFISTER.

Soutenue en 1989

à Grenoble 1 .

    mots clés mots clés


  • Pas de résumé disponible.


  • Pas de résumé disponible.


  • Résumé

    Le comportement du titane dans le silicium a ete etudie du point de vue electrique et physico-chimique par dlts (deep level transient spectroscopy). Du point de vue electrique, nous avons procede a une reexamination des niveaux profonds induits par le titane dans la bande interdite du silicium. Nous avons confirme que le titane interstitiel introduit trois niveaux profonds: un niveau accepteur e (0,09), un niveau donneur e (0,30) et un niveau double donneur h (0,26). Une analyse fine du niveau donneur a montre que la vitesse d'emission thermique depend faiblement du champ electrique. Nous avons propose un modele qui montre que l'absence de l'effet poole-frenkel est liee a l'existence d'un potentiel a courte distance superpose a l'interaction coulombienne. Du point de vue physico-chimique, nous avons utilise le niveau h (0,26) comme sonde pour determiner par dlts le coefficient de diffusion du titane et sa limite de solubilite dans le silicium qui sont donnes par les expressions suivantes: d=1,4510##2 exp (-1,79/kt) cm#2s##1; c=510#2#2 exp q(4,22-3,05/kt) cm##3

Consulter en bibliothèque

La version de soutenance existe sous forme papier

Informations

  • Détails : 111 p

Où se trouve cette thèse ?

  • Bibliothèque : Service interétablissements de Documentation (Saint-Martin d'Hères, Isère). Bibliothèque universitaire de Sciences.
  • Accessible pour le PEB
  • Bibliothèque : Service interétablissements de Documentation (Saint-Martin d'Hères, Isère). Bibliothèque universitaire de Sciences.
  • Disponible pour le PEB
  • Cote : TS 89/GRE1/0139
Voir dans le Sudoc, catalogue collectif des bibliothèques de l'enseignement supérieur et de la recherche.