Etude électronique et physicochimique de la structure Pt/a-Si:H/c-Si(n)

par Sai͏̈d Belkouch

Thèse de doctorat en Microélectronique

Sous la direction de Alain Deneuville.

Soutenue en 1989

à l'Université Joseph Fourier (Grenoble) .

    mots clés mots clés


  • Résumé

    On montre que la concentration des defauts profonds croit lorsque l'epaisseur d d'un silicium hydrogene si:h diminue. Les courbes (v,t) tension-temperature sont du type schottky avec des facteurs d''idealite qui augmentent quand t decroit. Des mesures c(v,), on en deduit la chute du potentiel electrostatique q#s dans le c-si pour chaque epaisseur d en fonction de la tension v appliquee. Les mesures photoelectriques sont effectuees afin de determiner et de caracteriser les defauts de la structure

  • Titre traduit

    Electronic and physicochemical study of thee pt/a-si:h/c-si(n) structure


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  • Détails : 262 p

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  • Bibliothèque : Service interétablissements de Documentation (Saint-Martin d'Hères, Isère). Bibliothèque universitaire de Sciences.
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  • Bibliothèque : Service interétablissements de Documentation (Saint-Martin d'Hères, Isère). Bibliothèque universitaire de Sciences.
  • Disponible pour le PEB
  • Cote : TS 89/GRE1/0086
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