Lasers infrarouges à semiconducteur et à fibre dopée en cavité externe : applications à la spectroscopie d'absorption à haute sensibilité

par Jacques Berthon

Thèse de doctorat en Physique

Sous la direction de Frédéric Stoeckel.

Soutenue en 1989

à l'Université Joseph Fourier (Grenoble) .

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    External cavity infrared semiconductor laser and external cavity infrared doped fiber laser. Application to high sensitivity absorption spectroscopy


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  • Résumé

    Nous avons etudie deux types de laser infrarouge a milieu amplificateur solide. Le premier laser est constitue d'un milieu amplificateur a semiconducteur place dans une cavite externe en anneau. Le milieu amplificateur est obtenu a partir d'une diode laser ingaasp par application d'une couche antireflet sur les faces de sortie. Le second laser est constitue d'une fibre dopee avec une terre rare (erbium) placee dans une cavite externe lineaire. La tres faible section transverse des deux milieux amplificateurs nous a conduit a adopter un nouveau type d'optique de couplage constitue de miroirs paraboliques hors d'axe. Une etude spectro-temporelle de l'emission de ces lasers a ete entreprise et nous a permis de determiner leurs performances pour une application a la spectroscopie d'absorption intracavite laser

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