Nitruration sous ammoniac de couches minces de W déposées sur Si : caractérisations physicochimiques et électriques

par Mohamed Benyahya

Thèse de doctorat en Microélectronique

Sous la direction de Alain Deneuville.

Soutenue en 1989

à Grenoble 1 .


  • Résumé

    Nous etudions la formation directe de structure si/wsi#2/si#3n#4 et si/wsi#2/wn#x par recuit sous nh#3 entre 600 et 1100#oc de structures si/w/a-sih et si/w avec des couches minces de w (200 et 2000 a) et de a-sih (150 a) en vue de l'utilisation de wsi#2 couvert de couches a barriere de diffusion comme contact ou interconnexion en microelectronique

  • Titre traduit

    Nitridation under ammoniac of w thin films deposited on silicon. Physicochemical and electrical characterizations


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Informations

  • Détails : 1 vol. (198 p.)
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  • Bibliothèque : Service interétablissements de Documentation (Saint-Martin d'Hères, Isère). Bibliothèque universitaire Joseph-Fourier.
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  • Bibliothèque : Service interétablissements de Documentation (Saint-Martin d'Hères, Isère). Bibliothèque universitaire Joseph-Fourier.
  • Disponible pour le PEB
  • Cote : TS 89/GRE1/0048
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