Evolution thermique de l'arsenic implanté dans le silicium : liens entre l'activité électrique et l'évolution structurale

par Andrea Parisini

Thèse de doctorat en Sciences des matériaux

Sous la direction de Alain Bourret.

Soutenue en 1989

à l'Université Joseph Fourier (Grenoble) .

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  • Titre traduit

    Thermal evolution of arsenic implanted silicon: the relations between the electrical activity and the structural evolution


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  • Résumé

    Une contraction tetragonale des couches implantees et une dilatation locale autour des atomes as ont ete mises en evidence sur les echantillons recuits au laser. Explication par le modele du potentiel de deformation. Apres des recuits thermiques ulterieurs, observation: 1) de la transformation de la deformation elastique d'un etat de contraction a un etat de dilatation; 2) de la presence de defauts de type interstitiel et, a haute temperature, de precipites; 3) de la deactivation electrique de as pour differentes temperatures de recuit et doses. Presentation d'un modele preliminaire des premieres etapes de deactivation

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  • Détails : 1 vol. (226 p.)
  • Annexes : Bibliographie 115 REF

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