Modelisation distribuee des transistors mos submicroniques

par Sophie Toutain

Thèse de doctorat en Sciences appliquées

Sous la direction de JEAN-JACQUES CHARLOT.

Soutenue en 1989

à Paris, ENST .

    mots clés mots clés


  • Résumé

    La miniaturisation et les conditions d'utilisation des circuits necessitent d'ameliorer les equations et de modifier la philosophie des modeles decrivant le comportement des transistors mos. Deux modeles a charges distribuees (mcd) sont presentes. Le premier modele concerne les transistors canaux longs qui peuvent montrer des effets transitoires parasites de propagation du signal le long du canal. Il assure la conservation de la charge dans un circuit et garantit un traitement en non quasi statique par une description cellulaire du transistor. Le second modele decrit toutes les longueurs de transistors jusqu'aux submicroniques. Il conserve la charge et travaille en quasi statique. Sa nature distribuee permet d'avoir acces aux parametres physiques le long du canal. Les deux modeles detiennent un passage faible-forte inversion ainsi qu'un passage lineaire-sature sans discontinuite; ceci par la prise en compte du courant sous le seuil et de la vitesse limite des porteurs dans la loi de mobilite. Une technologie micronique et submicronique ont ete caracterisees. Les mesures de courant effectuees sur differentes longueurs de transistors (l=25 m a l=0. 4 m) et les simulations mcd ont donne de tres bons resultats. La comparaison de la distribution des parametres physiques le long du canal avec des simulations bidimensionnelles ont acheve la validation du modele en statique. La validation en transitoire a ete faite par la comparaison entre mcd et pisces des capacites intrinseques du transistor. En dernier lieu, des simulations en transitoire permettent d'apprehender les phenomenes non quasi statique pris en compte dans le modele

  • Titre traduit

    Distributed modeling of submicron mosfet


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Informations

  • Détails : (16)-234 p.
  • Annexes : 80 REF

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  • Cote : B 2133
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