Caractérisation par la mesure des impédances électrochimiques et optoélectrochimiques de structures solution électrolytique/isolant/semiconduceur (E. I. S. ) : Mise au point d'une méthode d'analyse cartographique des impédances optoélectrochimiques

par Pascal Royer

Thèse de doctorat en Sciences. Dispositifs de l'électronique intégrée

Sous la direction de Jean-René Martin.

Soutenue en 1989

à l'Ecully, Ecole centrale de Lyon , en partenariat avec Laboratoire de physique chimie des interfaces (Ecully, Rhône) (laboratoire) .


  • Résumé

    Dans ce memoire est presentee l'application des mesures des impedances electrochimiques et optoelectrochimiques aux structures solution electrolyte/isolant/semiconducteur (e. I. S. ). Ces impedances sont tres sensibles aux proprietes electriques de l'interface semiconducteur/isolant, et permettent d'obtenir les parametres caracteristiques de cet interface. Dans la premiere partie, nous decrivons les modeles theoriques de cet interface et nous montrons qu'il est possible d'extraire ses parametres caracteristiques en ajustant les courbes d'impedances electrochimiques calculees aux courbes experimentales. La deuxieme partie concerne les impedances optoelectrochimiques. Dans un premier temps, nous donnons le principe et nous decrivons la methode de mesure de ces impedances. Nous demontrons et verifions experimentalement que les impedances optoelectrochimiques correspondent aux impedances optoelectrochimiques correspondent aux impedances electrochimiques de la partie active de la structure. Ensuite, partant du fait que la mesure ne depend theoriquement pas de la surface eclairee, nous observons experimentalement qu'il est possible de reduire cette surface et de realiser une mesure locale sur l'echantillon. Nous decrivons alors une methode originale de cartographie des impedances optoelectrochimiques et nous presentons des exemples de cartographies d'etats d'interface, de dopage du semiconducteur, et de charges fixes dans l'isolant, afin de montrer les possibilites de caracterisation offertes par cette methode

  • Titre traduit

    Caracterisation of electrolytic solution/insulator/semiconductor (e. I. S. ) structures by electrochemical and optoelectrochemical impedance measurements. Development of a new scanning cartographic method based upon optoelectrochemical impedance measurements


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Informations

  • Détails : 1 vl. (155 p.)
  • Notes : Publication autorisée par le jury
  • Annexes : 51 réf.

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  • Bibliothèque : Ecole centrale de Lyon. Bibliothèque Michel Serres.
  • Disponible pour le PEB
  • Cote : T1348
  • Bibliothèque : Ecole centrale de Lyon. Bibliothèque Michel Serres.
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