Traitements chimiques et thermiques de composes semi-conducteurs iii-v a base de in, ga, as, p en vue d'une reprise d'epitaxie
FR |
EN
Auteur / Autrice : | ABDELLATIF BENDRAOUI |
Direction : | Michelle Cadoret |
Type : | Thèse de doctorat |
Discipline(s) : | Physique |
Date : | Soutenance en 1989 |
Etablissement(s) : | Clermont-Ferrand 2 |
Mots clés
FR
Mots clés libres
Physique
Etat condense
Proprietes mecaniques et thermiques
Compose mineral
Etude experimentale
Compose iii-v
Semiconducteur
Ellipsometrie
Recuit thermique
Couche mince
Epitaxie
Croissance cristalline
Spectrometrie auger
Support
Couche superficielle
Traitement surface
Traitement chimique
Traitement thermique
Indium phosphure
Gallium indium arseniure mixte
Gallium indium phosphoarseniure mixte
Inorganic compound
Experimental study
Iii-v compound
Semiconductor materials
Ellipsometry
Thermal annealing
Thin film
Epitaxy
Crystal growth
Auger electron spectrometry
Support
Surface layer
Surface treatment
Chemical treatment
Heat treatment
Indium phosphides
Gallium indium arsenides mixed
Gallium indium arsenides phosphides mixed
Résumé
FR
L'etat de surface des semiconducteurs iii-v avant la reprise d'epitaxie conditionne les proprietes electroniques et la stabilite des composants realises. Mise en evidence de l'aspect dynamique de stabilisation des composes iii-v a base de in, ga, p et as sous hydrures. Developpement d'une methode originale de stabilisation statique de ces composes a base de chlorures d'in. Analyse des resultats experimentaux et interpretation en utilisant des modeles theoriques bases sur la thermodynamique statistique