Traitements chimiques et thermiques de composes semi-conducteurs iii-v a base de in, ga, as, p en vue d'une reprise d'epitaxie

Chemical thermal treatments of iii-v semi-conductors components made of in, ga, as, p for a epitaxial regrowth

• Auteur / Autrice : ABDELLATIF BENDRAOUI
• Direction : Michelle Cadoret
• Type : Thèse de doctorat
• Discipline(s) : Physique
• Date : Soutenance en 1989
• Etablissement(s) : Clermont-Ferrand 2

Mots clés

Mots clés libres

Physique

Etat condense

Proprietes mecaniques et thermiques

Compose mineral

Etude experimentale

Compose iii-v

Semiconducteur

Ellipsometrie

Recuit thermique

Couche mince

Epitaxie

Croissance cristalline

Spectrometrie auger

Support

Couche superficielle

Traitement surface

Traitement chimique

Traitement thermique

Indium phosphure

Gallium indium arseniure mixte

Gallium indium phosphoarseniure mixte

Inorganic compound

Experimental study

Iii-v compound

Semiconductor materials

Ellipsometry

Thermal annealing

Thin film

Epitaxy

Crystal growth

Auger electron spectrometry

Support

Surface layer

Surface treatment

Chemical treatment

Heat treatment

Indium phosphides

Gallium indium arsenides mixed

Gallium indium arsenides phosphides mixed

Résumé

L'etat de surface des semiconducteurs iii-v avant la reprise d'epitaxie conditionne les proprietes electroniques et la stabilite des composants realises. Mise en evidence de l'aspect dynamique de stabilisation des composes iii-v a base de in, ga, p et as sous hydrures. Developpement d'une methode originale de stabilisation statique de ces composes a base de chlorures d'in. Analyse des resultats experimentaux et interpretation en utilisant des modeles theoriques bases sur la thermodynamique statistique