Etude du vieillissement de diodes electroluminescentes gaas-gaalas

par PHILIPPE MARTIN

Thèse de doctorat en Physique

Sous la direction de Gérard Allais.

Soutenue en 1989

à Caen .

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  • Résumé

    La degradation des diodes electroluminescentes gaas-gaalas se traduit par l'apparition de zones non emissives (lignes noires), dans les directions 110, associees a la baisse de la puissance lumineuse emise. L'objectif de ce travail est de caracteriser, grace a la microscopie electronique en transmission, les defauts cristallins associes a ces zones. Avant fonctionnement, les diodes ont une tres bonne qualite cristalline. Les seuls defauts presents, localises sur les faces laterales des diodes, ont ete introduits au cours de l'elaboration. Lors du fonctionnement, sous l'action des contraintes exercees par l'encapsulant, les dislocations migrent vers l'interieur du cristal. Certaines sont piegees aux interfaces ou elles relaxent partiellement les contraintes tangentielles dues aux ecarts de parametres. La plupart d'entre elles se retrouvent dans la couche p, sous forme d'arrangements complexes plus ou moins reguliers. Dans certains cas, la degradation peut se traduire par l'apparition de micro-macles 111 qui traversent entierement les diodes. Des experiences de deformation plastique, a temperature ambiante de plaques epitaxiees mettent en evidence l'accroissement de mobilite des defauts sous l'influence des recombinaisons de porteurs minoritaires. La degradation des diodes peut donc etre decrite par la multiplication et la propagation de defauts (dislocations, mcles). Ils ont une double interaction avec les porteurs minoritaires lors des recombinaisons: d'une part, leur mobilite est accrue, d'autre part, leur presence favorise les recombinaisons non radiatives au detriment des recombinaisons radiatives


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  • Annexes : 60 REF

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