Etude de l'interface plomb-silicium(111) par ellipsométrie spectroscopique

Study of PB-SI (111) interface by spectroscopic ellipsometry

• Auteur / Autrice : Alain Degiovanni
• Direction : Gilbert Quentel
• Type : Thèse de doctorat
• Discipline(s) : Sciences des matériaux
• Date : Soutenance en 1989
• Etablissement(s) : Aix-Marseille 3
• Partenaire(s) de recherche : autre partenaire : Université Paul Cézanne. Faculté des sciences et techniques de Saint-Jérôme (Aix-Marseille)

Mots clés

Mots clés contrôlés

Cristaux métalliques -- Croissance

Propriétés optiques

Surfaces (physique)

Silicium

Plomb

Résumé

Etude des premiers stades de la croissance de pb sur si(111) et des proprietes electroniques et optiques des phases bidimensionnelles dans le domaine de la sous monocouche. Cette etude est effectuee par une sonde optique en analysant les variations de polarisation de la lumiere reflechie. La modelisation, basee sur la superposition des etats de polarisation, met en evidence 3 phases bidimensionnelles a des recouvrements 1/3, 2/3 et 1. Calcul des fonctions dielectriques de ces 3 phases bidimensionnelles. Observation d'une excitation electronique des cristallites tridimensionnelles pour des recouvrements superieurs a la monocouche