Stimulation superficielle de la réaction de nitruration de films minces de silice par voies : thermique, sous faisceau d'électrons, et plasma

par Jean-Jacques Dubray

Thèse de doctorat en Sciences des matériaux

Sous la direction de Alain Glachant.

Soutenue en 1989

à Aix-Marseille 2 , en partenariat avec Université d'Aix-Marseille II. Faculté des sciences (autre partenaire) .


  • Résumé

    Nous avons etudie la preparation d'un isolant de grille des transistors mosfets par nitruration d'un film mince de silice (13 )nm). Nos objectifs etaient de comprendre le mecanisme reactionnel et de trouver les conditions de preparation qui permettent de stimuler la reaction a la surface de l'echantillon tout en preservant les proprietes de l'interface silice/silicium intactes. Deux directions ont ete explorees: les procedes thermiques et les procedes d'excitation de surface a basse et moyenne temperature: sous faisceau d'electrons de basse energie et plasma. Deux procedes de nitruration haute temperature ont ete mis au point: le premier permet d'ameliorer la vitesse de reaction tout en limitant la nitruration, le second permet d'obtenir un oxynitrure de densite elevee

  • Titre traduit

    Superficial stimulation of the nitridation


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Informations

  • Détails : 289f.
  • Annexes : Bibliogr.f. 262-271

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  • Disponible pour le PEB
  • Cote : 16333
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