Intégration hétérogène d'un détecteur N-CdTe à un transistor à effet de champ GaAlAs/GaAs

Heterogeneous intregation of an n-cdte detector with an algaas/gaas field effect transistor

• Auteur / Autrice : Mahmoud Fallahi
• Direction : Francis Therez
• Type : Thèse de doctorat
• Discipline(s) : Sciences appliquées
• Date : Soutenance en 1988
• Etablissement(s) : Toulouse 3

Mots clés

Mots clés libres

Sciences appliquees

Electronique

Circuit integre

Optoelectronique

Cadmium tellurure

Transistor effet champ

Transistor heterojonction

Aluminium gallium arseniure mixte

Gallium arseniure

Dispositif photoconducteur

Faisabilite

Simulation ordinateur

Epitaxie

Phase liquide

Integrated circuit

Optoelectronics

Cadmium tellurides

Field effect transistor

Heterojunction transistor

Aluminium gallium arsenides mixed

Gallium arsenides

Photoconducting device

Feasibility

Computer simulation

Epitaxy

Liquid phase

Résumé

On realise sur un meme substrat gaas semi isolant des dispositifs comportant un photoconducteur interdigite cdte et un transistor fet gaalas/gaas pour montrer la faisabilite des circuits heterogenes. On developpe un modele de simulation pour concevoir les masques et analyser les caracteristiques du circuit. Pour realiser le transistor, on utilise la technique d'epitaxie en phase liquide. La croissance de la couche detectrice est obtenue par la methode de transport en phase vapeur a courte distance. On montre la compatibilite thermique et technologique de l'integration. Presentation, etude et caracterisation des dispositifs realises