Intégration hétérogène d'un détecteur N-CdTe à un transistor à effet de champ GaAlAs/GaAs

par Mahmoud Fallahi

Thèse de doctorat en Sciences appliquées

Sous la direction de Francis Therez.

Soutenue en 1988

à Toulouse 3 .

    mots clés mots clés


  • Résumé

    On realise sur un meme substrat gaas semi isolant des dispositifs comportant un photoconducteur interdigite cdte et un transistor fet gaalas/gaas pour montrer la faisabilite des circuits heterogenes. On developpe un modele de simulation pour concevoir les masques et analyser les caracteristiques du circuit. Pour realiser le transistor, on utilise la technique d'epitaxie en phase liquide. La croissance de la couche detectrice est obtenue par la methode de transport en phase vapeur a courte distance. On montre la compatibilite thermique et technologique de l'integration. Presentation, etude et caracterisation des dispositifs realises


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Informations

  • Détails : 137 P.
  • Annexes : 86 REF

Où se trouve cette thèse ?

  • Bibliothèque : Université Paul Sabatier. Bibliothèque universitaire de sciences.
  • Disponible pour le PEB
  • Cote : 1988TOU30188
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