Mecanismes d'oxydation des si-lpcvd fortement dopes au bore
par Messaoud Boukezzata
Thèse de doctorat en Physique
Sous la direction de Danielle Bielle-Daspet.
Soutenue en 1988
à Toulouse 3 .
- Physique
- Etat condense
- Proprietes mecaniques et thermiques
- Impurete
- Bore|sec
- Non metal
- Etude experimentale
- Basse pression
- Depot chimique phase vapeur
- Dopage
- Implantation ion
- Oxydation
- Cinetique
- Microstructure
- Mecanisme reaction
- Couche mince
- Rugosite
- Microscopie electronique transmission
- Diffraction electron reflexion
- Propriete electronique
- Silicium|sub
- Impurity
- Boron
- Non metal
- Experimental study
- Low pressure
- Chemical vapor deposition
- Doping
- Ion implantation
- Oxidation
- Kinetics
- Microstructure
- Reaction mechanism
- Thin film
- Roughness
- Transmission electron microscopy
- Reflection high energy electron diffraction
- Electronic properties
- Silicon
mots clés
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Résumé
Etude de la cinetique et des mecanismes d'oxydation thermique de films dopes a 210**(20) cm**(-3) b "in situ" et par implantation post-depot. Les resultats prennent en compte les influences du mode de dopage et de la microstructure initiale des films (qui varie d'un etat quasi-amorphe a un etat nettement polycristallin). Leur analyse s'appuie sur a) un logiciel de modelisation de l'oxydation de si et la comparaison avec la cinetique d'oxydation de temoins monocristallins qui permettent de les exprimer en termes de constante de diffusion d et de la vitesse de reaction de surface k::(s) de l'oxydation, b) la comparaison entre depots non dopes, dopes a b par implantation ou "in situ" et c) le suivi des proprietes structurales (rugosite, diagrammes rheed, observations tem) et electroniques des films
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Titre traduit
Oxidation mechanisms of highty-doped lpcvd-si films
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