Etude et developpement de technologies d'isolation cmos pour circuits integres ulsi

par Didier Save

Thèse de doctorat en Sciences appliquées

Sous la direction de Jean Buxo.

Soutenue en 1988

à Toulouse 3 .

    mots clés mots clés


  • Résumé

    L'isolation des circuits cmos est une des cles de leur miniaturisation extreme. Les technologies d'isolation de l'ulsi devront eliminer les risques de courants de fuite et de "latch up" a la peripherie du caisson, ainsi que les phenomenes perimetriques, dus a l'isolation de champ, qui degradent les performances des petits transistors (tension de seuil, capacite de diffusion). L'isolation dielectrique du caisson par tranchee profonde est choisie ici pour sa compatilibite avec les filieres de fabrication existantes. La principale difficulte de la technique reside dans la gravure parfaitement verticale des tranchees. Le remplacement de l'isolation de champ, par oxydation localisee du silicium (locos), par une technique de depots d'oxyde de silicium nivelles (box) necessite la mise au point d'un procede de "planarisation" de l'oxyde. La mise en place de la filiere technologique et la conception des dispositifs de test sont finalement exposees


  • Pas de résumé disponible.

Consulter en bibliothèque

La version de soutenance existe sous forme papier

Informations

  • Détails : 180 P.
  • Annexes : 257 REF

Où se trouve cette thèse ?

  • Bibliothèque : Université de Nantes. Service commun de la documentation. Section Technologies.
  • Non disponible pour le PEB
  • Cote : 88 TOU SAV
  • Bibliothèque : Université Paul Sabatier. Bibliothèque universitaire de sciences.
  • Disponible pour le PEB
  • Cote : 1988TOU30011
Voir dans le Sudoc, catalogue collectif des bibliothèques de l'enseignement supérieur et de la recherche.