Developpement d'une technique d'analyse localisee des defauts electriquement actifs dans les semiconducteurs

par Thomas Heiser

Thèse de doctorat en Physique

Sous la direction de Paul Siffert.

Soutenue en 1988

à Strasbourg 1 .

    mots clés mots clés


  • Résumé

    Methode basee sur l'emission thermique de porteurs electriques pieges par les niveaux profonds dans la bande interdite. La modelisation de la technique a permis de determiner l'influence des divers parametres physiques sur la resolution spatiale de la technique et d'etablir les conditions optimales de mesures. L'exploitation numerisee des signaux augmente sensiblement la capacite de detection de la technique. Le phenomene de "gettering" de l'or par les dislocations ainsi que la diffusion acceleree de l'or a travers le joint de grain d'un bicristal de silicium ont ete mis en evidence


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Informations

  • Détails : 129 P.
  • Annexes : 64 REF

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