Modelisation mono- et bidimensionnelle des phenomenes electrostatiques dans le silicium polycristallin petits grains : application a l'effet de champ dans une structure mos

par Hervé Lhermite

Thèse de doctorat en Physique

Sous la direction de Olivier Bonnaud.

Soutenue en 1988

à Rennes 1 .

    mots clés mots clés


  • Résumé

    L'objet de cette these est l'etude des phenomenes electrostatiques dans les couches de silicium polycristallin au moyen de la resolution numerique de l'equation de poisson a une et deux dimensions. A deux dimensions, on etudie comment un joint de grain parallele a une structure mos polycristalline (mosp) peut bloquer les variations de potentiel induites par la tension de grille. On etudie ensuite les parametres de la simulation (taille des grains, dopage, pieges a l'interface, etc. ) sur les variations d'une capacite mosp en vue de simuler la caracteristique courant tension d'une structure reelle

  • Titre traduit

    1d and 2d modeling of the electrostatic phenomena in the small grain polycrystalline silicon. Application to the field effect in a mos structure


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Modélisation mono- et bidimensionnelle des phénomènes électrostatiques dans le silicium polycristallin petits grains : Application à l'effet de champ dans une structure MOS


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  • Sous le titre : Modélisation mono- et bidimensionnelle des phénomènes électrostatiques dans le silicium polycristallin petits grains : Application à l'effet de champ dans une structure MOS
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