Plasticité de GaAs en fonction du dopage électronique

par Patrice Boivin

Thèse de doctorat en Physique

Sous la direction de Jacques Rabier.

Soutenue en 1988

à Poitiers .


  • Résumé

    Etude entre 650 et 150**(o)c. Proposition d'un modele dans lequel la dyssimetrie de mobilite des partielles constituant une dislocation vis favorise non seulement la nucleation de fautes etendues, mais aussi la restauration de la sous-structure par glissement devie sous forte contrainte

  • Titre traduit

    Plastic behaviour of gaas as a function of electronic doping


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  • Détails : 1 vol. (169 p.)
  • Annexes : 80 REF

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