Étude du transport des charges dans le silicium amorphe hydrogéné à l'aide d'une technique de photoconductivité modulée à deux faisceaux

par Gabriel Mawawa

Thèse de doctorat en Physique des solides

Sous la direction de Jacques Bullot.

Soutenue en 1988

à Paris 11 , en partenariat avec Université de Paris-Sud. Faculté des Sciences d'Orsay (Essonne) (autre partenaire) .


  • Résumé

    Ce travail présente une étude des propriétés électriques et optiques du silicium amorphe hydrogené réalisée à l'aide d'une technique de photoconductivité modulée à deux faisceaux (P. M. D. F. ). La P. M. D. F. Utilise deux faisceaux de lumière. Un faisceau pompe stationnaire d'énergie supérieure au gap optique et un faisceau modulé monochromatique d'énergie variable. Le faisceau de pompe crée des électrons et des trous libres qui peuplent les états des bandes tandis-que le faisceau modulé induit une faible perturbation de l'état stationnaire créé par la pompe. L'expérience a révélé la présence de deux groupes d'électrons piégés dans le gap du silicium amorphe non dopé. Ces électrons piégés proviennent de la liaison brisée du silicium chargée négativement et de la queue de bande de conduction. Le quenching thermique est lié aux états pièges de la queue de bande de conduction et la position de son maximum dépend de l'état Staebler-Wronski de l'échantillon. A haute température, le transport électronique est assuré par la liaison brisée en revanche à basse température il est contrôlé par les électrons piégés dans la queue de bande de conduction. Enfin la mobilité alternative partielle associée à la queue de bande de conduction a une énergie d'activation qui est compatible aux mesures de temps de vol de Spear.

  • Titre traduit

    Carriers transport analysis in amorphous hydrogenated silicon by dual beam modulated photoconductivity technique


  • Pas de résumé disponible.

Consulter en bibliothèque

La version de soutenance existe sous forme papier

Informations

  • Détails : 1 vol. (187 p.)
  • Notes : Publication autorisée par le jury
  • Annexes : Bibliogr. p. 174-184

Où se trouve cette thèse ?

  • Bibliothèque : Université Paris-Sud (Orsay, Essonne). Service Commun de la Documentation. Section Sciences.
  • Disponible pour le PEB
  • Cote : 0g ORSAY(1988)303
  • Bibliothèque : Centre Technique du Livre de l'Enseignement supérieur (Marne-la-Vallée, Seine-et-Marne).
  • Disponible pour le PEB
  • Cote : TH2014-035152
Voir dans le Sudoc, catalogue collectif des bibliothèques de l'enseignement supérieur et de la recherche.